TFT和光电二极管等多个元件纵向层叠的方法

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以低成本实现三维LSI（TFT和光电二极管等多个元件纵向层叠）的方法亮相。通过半导体激光使中间夹有一层绝缘膜的2层硅薄膜同时结晶，这是奈良尖端科学技术研究生院大学、产业技术综合研究所及爱发科（ULVAC）合作小组的成果。
　　使用绿色激光
　　开发小组在玻璃底板上形成了2层硅薄膜，硅薄膜中间夹有氧化硅，通过向上层照射半导体激光，上层、下层硅薄膜可同时结晶。使用波长较长的半导体绿色激光（波长532nm），上层的硅层不完全吸收所照射的激光，透过的激光让下层吸收。
　　硅薄膜结晶一般使用的激光波长较短，约为300nm以下，因此上层的硅膜吸收了大部分的光。这样，使用准分子激光法便需要从下层开始逐次进行层叠和结晶，工艺成本比较高。
膜质量与单结晶相当，尝试用于人工视网膜LSI
　　用此次的方法完成结晶的硅薄膜，上层可形成粒径1μm左右的多结晶，下层可形成粒径几十纳米的微结晶。上层的载流子迁移率为550cm2/（V-1s-1），与单结晶相当，可用于TFT的通道部分等。例如，通过在上层硅膜上嵌入TFT，在下层硅膜上嵌入光电二极管，“能够实现人工视网膜LSI”（奈良尖端科学技术研究生院大学副教授浦冈行治），开发小组计划推进人工视网膜的应用开发。
　　在使用绿色激光实现结晶化的硅薄膜领域，此前没有实现如此高的载流子迁移率的先例。与使用气体的准分子激光相比，使用类似绿色激光这样的半导体激光具有维护成本低的优点。